近期，三星電子宣布已完成全球首款32Gb(4GB)DDR5內(nèi)存芯片的開發(fā)。該芯片是迄今業(yè)界密度最高的，可依此研發(fā)1TB容量的內(nèi)存條。此前5月份，三星剛剛開始量產(chǎn)16Gb(2GB)容量的DDR5內(nèi)存芯片，頻率高達7200MT/s。最新的32GbDDR5內(nèi)存芯片，繼續(xù)采用12nm級別工藝制造，相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款內(nèi)存產(chǎn)品，容量已經(jīng)增加了50多萬倍！不過，三星并未披露具體頻率。此前的128GBDDR5內(nèi)存條，必須使用TSV硅穿孔技術(shù)，堆疊多顆芯片才能達成，而現(xiàn)在有了單顆64Gb，就不需要TSV堆疊了，從而將功耗降低大約10％。只需要8顆這樣的芯片，就能達成單條32GB容量。更進一步，使用8-Hi3DS堆疊技術(shù)將8顆32Gb芯片整合在一起，然后在一條內(nèi)存上安裝32顆，就能達成單條1TB容量！有了它，AMDEPYC9004這樣支持12通道內(nèi)存的服務器平臺上，就可以實現(xiàn)單路系統(tǒng)12TB內(nèi)存。三星計劃在今年底量產(chǎn)32GbDDR5內(nèi)存芯片。延伸閱讀